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PECVD 等离子体增强化学沉积系统

PECVD 等离子体增强化学沉积系统

该产品具有固态等离子源、分开式反应气体进气系统,动态衬底温控,全面控制真空系统,采用集中现场控制总线技术的nobody控制软件,以及友好用户操作界面来操作。适用于室温至1200℃条件下进行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉积,同时可实现TEOS源沉积,SiC膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料,尤其适合于有机材料上保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。


型  号

流量控制

清洗镀膜RF功率

管径

.式样尺寸 in

加热区

最高

温度

外形尺寸mm

功率

重 量

 

 

 

(外)mm

 

长度mm

 

 

Kg(约)

NBD-PECVD1200-80ITD2Z

两路质量流量计

20~200W可调

Φ60Φ80

2~3″

200

1200℃

1300

1260

820

AC220V4kw

360

*可非标定制,欢迎来电垂询!

相关标签:快速退火炉,化学沉积系统,等离子体增强化学沉积系统,

来源:http://www.nbdkj.cc/supply/153.html

发布时间 : 2017-12-04 00:00:00


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